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Operation and modeling of the MOS transistor
Yannis P. Tsividis. -- McGraw-Hill, 1987. -- (McGraw-Hill series in electrical engineering ; VLSI, electronics, and electronic circuits). <BB10035762>
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Operation and modeling of the MOS transistor
Yannis P. Tsividis. -- McGraw-Hill, 1987. -- (McGraw-Hill series in electrical engineering ; VLSI, electronics, and electronic circuits). <BB10035762>
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No.
巻号
所蔵館
配置場所
請求記号
資料ID
状態
返却予定日
予約
WEB書棚
0001
宇都宮
2F
549.8/Ts12
10011248
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No.
0001
巻号
所蔵館
宇都宮
配置場所
2F
請求記号
549.8/Ts12
資料ID
10011248
状態
返却予定日
予約
0件
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書誌詳細
標題および責任表示
Operation and modeling of the MOS transistor / Yannis P. Tsividis
出版・頒布事項
New York : McGraw-Hill , c1987
形態事項
xx, 505 p. : ill. ; 25 cm
巻号情報
ISBN
007065381X
書誌構造リンク
McGraw-Hill series in electrical engineering <BB00327300> VLSI, electronics, and electronic circuits//a
注記
Includes bibliographies
学情ID
BA00511105
本文言語コード
英語
著者標目リンク
*Tsividis, Yannis <AU10023182>
分類標目
LCC:TK7871.99.M44
分類標目
DC19:621.3815/22
分類標目
NDC7:549.82
件名標目等
Metal oxide semiconductors -- Mathematical models
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