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抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 岸浩史著. -- 大阪大学出版会, 2012. -- (大阪大学新世紀レクチャー . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2). <BB40101234>

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抵抗変化メモリの知的材料設計

笠井秀明, 岸浩史著. -- 大阪大学出版会, 2012. -- (大阪大学新世紀レクチャー . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2). <BB40101234>

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所蔵一覧 1件～1件（全1件）

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No.	巻号	所蔵館	配置場所	請求記号	資料ID	状態	返却予定日	予約	WEB書棚
0001		宇都宮	2F	548.23/Ka 72	11320696			0件


No.	0001
巻号
所蔵館	宇都宮
配置場所	2F
請求記号	548.23/Ka 72
資料ID	11320696
状態
返却予定日
予約	0件
WEB書棚

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レビュー

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書誌詳細

標題および責任表示

抵抗変化メモリの知的材料設計 / 笠井秀明, 岸浩史著
テイコウヘンカメモリノチテキザイリョウセッケイ

出版・頒布事項

吹田 : 大阪大学出版会 , 2012.9

形態事項

iv, 74p ; 21cm

巻号情報

ISBN	9784872592559

書誌構造リンク

大阪大学新世紀レクチャー||オオサカダイガクシンセイキレクチャー <BB05022227> . 計算機マテリアルデザイン先端研究事例||ケイサンキマテリアルデザインセンタンケンキュウジレイ ; 2//aa

その他の標題

標題紙タイトル:Computational materials design, case study II

その他の標題

標題紙タイトル:Intelligent/directed materials design for resistance random access memory

その他の標題

背表紙タイトル:CMD II

注記

参考文献あり

学情ID

BB10165154

本文言語コード

日本語

著者標目リンク

笠井, 秀明(1952-)||カサイ, ヒデアキ <AU10058302>

著者標目リンク

岸, 浩史
キシ, ヒロフミ <>

分類標目

情報工学 NDC9:548.232

件名標目等

半導体記憶装置||ハンドウタイキオクソウチ

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